Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 85 (2007) | ISSUE 9 | PAGE 527
Дырочные состояния в искусственных молекулах, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si
PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz
Abstract
В приближении сильной связи исследованы пространственная конфигурация основного состояния и энергия связи дырки в "двухатомной"искусственной молекуле, образованной вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si(001). Учтено неоднородное пространственное распределение упругих деформаций в среде, возникающих из-за различия параметров решетки Ge и Si. Расчет деформаций выполнен в рамках модели поля валентных сил с использованием межатомного потенциала Китинга. Показано, что формирование дырочных состояний определяется конкуренцией двух процессов, одним из которых является обобществление дырки при перекрытии "атомных" волновых функций, а вторым- возникновение асимметрии потенциальной энергии дырки в двух квантовых точках, вызванной наложением полей упругих деформаций от вертикально совмещенных нанокластеров Ge. Обнаружено, что при толщине слоя Si между точками Ge (t Si) больше 2.3 нм энергия связи дырки в основном состоянии системы из двух точек становится меньше энергии ионизации одиночной квантовой точки вследствие частичной релаксации упругих напряжений при сопряжении квантовых точек и уменьшения глубины потенциальной ямы для дырок. Установлено, что существует промежуточная область значений параметра t Si, в которой ковалентная молекулярная связь разрушается, и происходит локализация дырки в одной из квантовых точек, характеризующейся наибольшими значениями деформации.