Кинетика испускания субтерагерцовых акустических фононов из области фононного горячего пятна в кристаллах GaAs
Акимов А.В., Каплянский А.А., Погарский М.А., Тихомиров В.К.
Обнаружено, что на начальной стадии существования фононного "горячего пятна" (ГП), созданного вблизи поверхности кристалла GaAs импульсами лазера ~ 1 мДж/мм2, поток акустических фононов с частотами 0,3 0,6 ТГц из ГП медленно возрастает со временем. Обсуждаются возможные причины эффекта.