Делокализация электронов в двумерном электронном газе у поверхности (100) кремния
Долгополов В.Т., Шашкин А.А., Житенев Н.Б., Дорожкин С.И.
Экспериментально изучена зависимость числа локализованных электронов Nj от полной концентрации Ng в МДП-структурах (100) кремния. Обнаружено уменьшение N^ по мере роста N. связанное с улучшением экранирования потенциального рельефа свободными s электронами.