Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 77 (2003) | ISSUE 1 | PAGE 38
Новые эффекты ванье-штарковской локализации в естественной сверхрешетке 6Н-SiC
PACS: 72.20.Ht, 73.20.Dx
Abstract
В 6H- SiC n+- n-- n+ структурах, оптимизированных для сверхвысокочастотных измерений, в области электрических полей, соответствующих режиму блоховских осцилляций в естественной сверхрешетке 6Н- SiC, наблюдался ранний электрический пробой, возникновение которого связывается с образованием домена сильного поля в условиях отрицательной дифференциальной проводимости. Полученные экспериментальные результаты и проведенные оценки свидетельствуют о том, что данный домен подвижный и, значит, осциллирующий, что в свою очередь позволяет прогнозировать наличие в естественной сверхрешетке 6Н- SiC микроволновых колебаний, которые быстро затухают в условиях лавинного пробоя. Кристаллическое совершенство естественной свехрешетки 6Н- SiC позволило прямо наблюдать ванье- штарковскую локализацию вплоть до электрического пробоя, то есть на протяжении естественной жизни кристалла, для чего была использована оптическая методика фотоэлектрического преобразования в режиме умножения фототока, рожденного квантами света с энергией больше ширины запрещенной зоны. Показано, что ванье- штарковская локализация, воздействуя только на электроны, существует в естественной свехрешетки 6Н- SiC до полей почти равных пробойному полю 6Н- SiC, не замечая зонного смешивания, принципиального разрушителя ванье- штарковской локализации.