Реабсорбция неравновесных фононов в сверхпроводящих микроконтактах
Янсон И.К., Фисун В.В., Бобров Н.Л., Рыбальченко Л.Ф.
Обнаружено, что при нарушении неравенства d </g (d — диаметр контакта, /р длина энергетической релаксации электронов) особенности на вольт-амперных характеристиках S с N контактов при характерных фононных энергиях обусловлены уменьшением Δ из-за накопления неравновесных фононов с малыми групповыми скоростями в приконтак-тной области.