Конфигурационная перестройка бистабильных дефектов в полупроводниках
Кузнецов Н.В., Филатов В.Н.
Исследован процесс накопления метастабильного и основного состояний связанного электрона в двух различных конфигурациях бистабильного дефекта. Проведено сравнение с экспериментом.