Переходы между бездиссипативным и диссипативным состояниями на гетероструктурах GaAs - AlxGa1-x As в квантовом эффекте Холла
Мокеров В.Г., Медведев Б.К., Пудалов В.М., Ринберг Д.А., Семенчинский С.Г., Слепнев Ю.В.
Изучено явление пробоя в GaAs гетеропереходе при Τ ~ 0,35 τ 3,5 К; Я ~ 120 кЭ. Обнаружены: существование метастабильных состояний с временем жизни от 10 до > 100 с, развитие пробоя в виде цепочки субскачков рхх > существование гистерезиса у каждого из субскачков р^ в отдельности и влияние направления холловского поля на вольт-амперную характеристику пробоя.