Проявление метастабильных локализованных состояний дырок в медленной кинетике краевой люминесценции n-GaAs
Акимов А.В., Каплянский А.А., Криволапчук В.В., Москаленко Е.С.
Путем исследования влияния тепловых импульсов на обнаруженную микросекундную кинетику люминесценции свободная дырка нейтральный донор в л-GaAs при Tq= IJ к показано, что эта кинетика обусловлена медленной безактивационной подпиткой концентрации свободных дырок из метастабильных локализованных состояний с энергией ниже потолка валентной зоны GaAs.