Экситоны, связанные со слоем поверхностного заряда в кремнии
Алтухов П.Д., Бакун А.А., Крутицкий А.В., Рогачев А.А., Рубцов Г.П.
При малой плотности поверхностного заряда в спектрах рекомбинационного излучения кремниевых структур металл окисел полупроводник (МОП-структур) обнаружена новая линия излучения, обусловленная экситонами, связанными со слоем поверхностного заряда.