Кристаллизация сверхрешеток Si-SiO2, стимулированная одноосным периодичным потенциалом
Плотников А.Ф., Пудонин Ф.А., Столачинский В.Б.
Получен новый тип сверхрешеток на основе тонких слоев Si и S1O2. Воздействие одноосного периодичного потенциала и термического отжига приводит к кристаллизации сверхрешеток с новой гексагональной кристаллической структурой.