Особенности вольт-амперных характеристик многослойных туннельных структур с большой прозрачностью туннельных барьеров
Невирковец И.П.
На ΒΑΧ двойной туннельной сверхпроводниковой структуры Sn-I-SnI РЬ с большой прозрачностью туннельных барьеров обнаружены особенности при напряжениях (Δρ^_Δδη^€' ^Sn'e' ^Sn + А?Ъ^е' котоРЬ1е свидетельствуют о неаддитивном вкладе одночастичного тун-нелирования через отдельные переходы в суммарную ΒΑΧ.