Home
| VOLUME 86 (2007) | ISSUE 3 | PAGE 231 |
|---|
|
Индуцированная оптическим и радиочастотным резонансным излучением спиновая поляризация вакансии Si в SiC: перспективном объекте для спектроскопии одиночных дефектов
П. Г. Баранов, А. П. Бундакова, И. В. Боровых*, С. Б. Орлинский
 , Р. Зондерван , Я. Шмидт
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 С.Петербург, Россия *Laboratory of Biophysics, Wageningen University, The Netherlands; Fachbereich Physik, Universitat Osnabrueck, Germany +Казанский государственный университет, лаборатория МРС и КЭ, 420008 Казань, Россия  Huygens Laboratory, Department of Physics, Leiden University, Leiden, The Netherlands
PACS: 61.72.-y, 76.30.-v
Abstract
Наблюдались две противоположные схемы оптического выстраивания населенностей спиновых подуровней в основном состоянии вакансии Si в SiC при облучении неполяризованным светом на частотах безфононных линий, зависящие от температуры, политипа кристалла и кристаллической позиции. Обнаружено гигантское, достигающее 2-3 раз, изменение интенсивности люминесценции безфононных линий в нулевом магнитном поле при поглощении радиочастного излучения с энергией, равной расщеплению тонкой структуры спиновых подуровней основного состояния вакансии, что открывает возможности для регистрации магнитного резонанса на одиночной вакансии. |