Высокотемпературная проводимость с переменной длиной прыжка
Гершензон Е.М., Гурвич Ю.А., Мельников А.П., Шестаков Л.Н.
Обнаружена проводимость с переменной длиной прыжка в Si с компенсацией К * « 10~3-10~5 в диапазоне температур, где согласно общепринятым представлени -ям должно наблюдаться насыщение «3 -проводимости.