JETP Letters: issues online

Комплексная высокочастотная (ВЧ), σ^AC=σ₁-i σ₂, и статическая σ^DC проводимости, а также вольт-амперные характеристики (ВАХ) измерены в гетероструктурах p-Si/SiGe с низкой концентрацией дырок (p=8.2×10¹⁰ см^-2) при температурах T=0.3-4.2 К в ультраквантовом пределе, когда число заполнения ν <1. Для определения компонентов ВЧ проводимости использовалась акустическая бесконтактная методика в "гибридной конфигурации", когда поверхностная акустическая волна (ПАВ) распространялась по поверхности пьезоэлектрика LiNbO₃, а гетероструктура прижималась к ней пружинкой. σ₁ и σ₂ определялись из величин затухания и скорости поверхностных акустических волн, одновременно измеренных при изменении магнитного поля. Обнаруженные особенности ВЧ проводимости: $\sigma_1 \gg|\sigma_2|$ , отрицательный знак σ₂, пороговый характер ВАХ, зависимость $I\propto \exp (-A/V^{0.3})$ в предпороговой области свидетельствуют в пользу образования в ультраквантовом пределе (T=0.3-0.8 К, B>14 Тл) запиннингованного вигнеровского кристалла (стекла).