Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 86 (2007) | ISSUE 4 | PAGE 282
Структура примесных отрицательных ионов в жидком гелии
PACS: 67.40.Jg
Abstract
Экспериментальные значения подвижности примесных отрицательных ионов галогенов (Cl-, F-, I-) и металлов (Ba-, Ga-) в сверхтекучем He4 близки между собой и существенно ниже не только подвижности ионов He+, но и электронных пузырьков. Показано, что причиной столь малой подвижности служит образование вокруг ионов многоатомных комплексов - кластеров или пузырьков. Несмотря на близкие значения подвижностей, структура образующихся комплексов в случае галогенов и металлов качественно различна - вблизи ионов галогенов, обладающих большой энергией прилипания электронов, образуются твердотельные кластеры, подобные хорошо изученному кластеру на ионе He+, а ионы металлов локализуются в пузырьках, подобных электронным пузырькам. Зависимость подвижности этих комплексов от температуры и давления должна быть качественно различной. Эксперименты в этой области, возможно с более широкой номенклатурой отрицательных ионов, могли бы способствовать более глубокому пониманию структуры заряженных комплексов в жидком гелии.