Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 86 (2007) | ISSUE 5 | PAGE 370
Фотонные кристаллы с заданной шириной запрещенной зоны
PACS: 42.70.Qs
Abstract
Предложен новый метод создания фотонных кристаллов с тщательно контролируемой шириной фотонной запрещенной зоны. Метод основан на синтезе фотонного кристалла типа A1-xBx с контролируемым значением параметра x на основе двух изоструктурных фотонных кристаллов А и B, таких, что ширина фотонной запрещенной зоны кристалла А меньше, а кристалла B - больше требуемой. Метод продемонстрирован на примере инвертированного опала состава (100-x) мол. % SiO2 - x мол.% ZnO, для которого относительная ширина стоп-зоны монотонно возрастала при увеличении параметра x.