акопление продуктов распада неравновесных оптических фононов в сверхрешетке GaAs - AlxGa1-xAs
Вайнерт X., Жукаускас А., Латинис В., Стяпанкявичюс В.
Обнаружено, что в фотовозбужденной сверхрешетке GaAs ΑΙ Ga As приращение электронной температуры обусловлено долго жив у щей неравновесной заселенностью колебательных мод с частотой вдвое меньшей частоты продольного оптического Ζ-0-фонона.