Увеличение критического тока металлооксидной керамики под давлением
Барьяхтар В.Г., Григуть О.В., Василенко А.В., Дьяченко А.И., Свистунов В.М., Таренков В.Ю., Черняк О.И.
Обнаружено значительное возрастание с давлением плотности критического тока образцов YBa2Cu307 _ δ dlnfc IdP ~ 0,1 кбар"1. При существенном сужении ширины резистивного R(T) перехода в сверхпроводящее состояние {d\nj\TJdP's 0,06 кбар" *) критическая температура Тс увеличивалась значительно медленнее (dinΤ / dP = = 0,003 кбар* *), Ρ < 10 кбар.