Электронное рассеяние света в осмии: влияние давления
Ю. С. Поносов, В. В. Стружкин*, С. В. Стрельцов, А. Ф. Гончаров*
Институт физики металлов Уральского отд. РАН, 620041 Екатеринбург, Россия
*Geophysical Laboratory CIW, 5251 Broad Branch Rd., N.W., Washington, D.C. 20015, U.S.A.
PACS: 62.50.+p, 63.20.Kr, 71.18.+y, 72.10.Di, 78.30.Er
Abstract
Выполнены исследования неупругого рассеяния света электронами и
фононами в монокристаллах 5d переходного металла осмия при давлениях до
60 ГПа и температурах 10-300 К. В области давлений 20-30 ГПа при
возбуждении на 2.41 эВ обнаружен аномальный рост интенсивности спектров
электронного рассеяния света с появлением выраженных континуумов на
см-1 для
q | [0001] и
см-1 для
. Сравнение
q- зависимостей, измеренных
и рассчитанных в рамках зонной теории спектров, предполагает существенную
перенормировку энергий и затухания электронных состояний вблизи энергии Ферми
и ее изменения под влиянием давления и температуры.