Измерена дифференциальная термоэдс S монокристаллов УВа₂Си₃0_? _ _δ в плоскости (аЬ) в интервале температур 400 90 К. Знак S соответствует положительному заряду носителей тока, а ее температурное поведение ниже ~ 300 К имеет аномальный характер, аналогичный температурной зависимости холловской ЭДС,