Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si
А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz
Abstract
Методом спектроскопии комплексной проводимости
(адмиттанса) исследована эмиссия дырок из связывающего состояния
двухатомных искусственных молекул, образованных вертикально
сопряженными квантовыми точками Ge/Si(001). Обнаружено, что при
толщине барьерного слоя Si между квантовыми точками Ge больше
2.5 нм энергия связи дырки в искусственной молекуле становится
меньше энергии ионизации одиночной квантовой точки, что
противоречит результатам квантовомеханической модели молекулярных
связей и свидетельствует об определяющей роли механических
напряжений в формировании связывающей орбитали в системе упруго
напряженных квантовых точек.