Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 86 | ISSUE 7 | PAGE 553
Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-β(2× 4)
PACS: 64.60.-i, 68.35.Bs
Abstract
Гомоэпитаксия GaAs в молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности (001)-β(2× 4) рассматривается как двумерный фазовый переход первого рода от решеточного газа адсорбированных ростовых компонентов к двумерной кристаллической фазе. В рамках теории среднего поля фазового перехода определены параметры латерального взаимодействия между заполненными ячейками решеточного газа. Выявлены причины завершения роста полного монослоя (самоупорядочения), прежде чем начнется рост нового монослоя. Осцилляционные эксперименты подтверждают выводы предлагаемой теории фазового перехода в гомоэпитаксии.