Абсолютное отрицательное сопротивление в неравновесной двумерной электронной системе в сильном магнитном поле
А. А. Быков, Д. Р. Исламов, Д. В. Номоконов, А. К. Бакаров
Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk
Abstract
Исследовано влияние электромагнитного излучения миллиметрового
диапазона длин волн на сопротивление двумерного электронного газа в GaAs/AlAs
гетероструктурах в сильном магнитном поле. Показано, что в изучаемой
двумерной электронной системе в неравновесных условиях, создаваемых
микроволновым излучением, возникают гигантские магнетополевые осцилляции
сопротивления. Установлено, что при малых плотностях измерительного тока
увеличение микроволновой мощности приводит к абсолютному отрицательному
сопротивлению в основном минимуме этих осцилляций, расположенном вблизи
циклотронного резонанса. Полученные в работе экспериментальные данные
качественно согласуются с теорией многофотонного фотостимулированного
примесного рассеяния [J. I narrea and G. Platero, Appl. Phys. Lett.
89, 052109 (2006)].