Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 87 (2008) | ISSUE 1 | PAGE 41
Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(001) при селективном воздействии йода и цезия
PACS: 61.14.-x, 68.35.Bs, 68.43.-h, 72.80.Ey, 81.15.Ef
Abstract
Экспериментально изучено селективное взаимодействие атомов йода и цезия с поверхностью GaAs(001), которое приводит к уменьшению энергии связи поверхностных атомов галлия и мышьяка, соответственно, благодаря перераспределению электронной плотности в приповерхностной области под влиянием электроотрицательных и электроположительных адсорбатов. Такое селективное взаимодействие позволяет поочередно удалять монослои галлия и мышьяка при адсорбции йода и цезия и последующем прогреве при температуре T\leq450 ^{\circ}C и, тем самым, осуществлять обратимые низкотемпературные переходы между Ga- и As-стабилизированными сверхструктурами, а также атомно-слоевое травление полупроводника с физически предельной, монослойной точностью.