Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 87 (2008) | ISSUE 3 | PAGE 170
Барьерные D- комплексы в высокоподвижной двумерной электронной системе
PACS: 73.21.Fg
Abstract
Методом неупругого рассеяния света исследован спектр циклотронных возбуждений селективно легированных AlGaAs/GaAs квантовых ям с большими (до 2•107 см2/В•с подвижностями электронов. Обнаружены и идентифицированы линии неупругого рассеяния света возбуждений барьерных D- комплексов - объектов, в которых два электрона, локализованных в квантовой яме, связываются с заряженной примесью в барьере. Показано, что из-за особенностей кулоновского взаимодействия в двумерных системах спин-синглетные D- комплексы существуют во всем диапазоне факторов заполнения электронов от \nu \rightarrow 0 до ν=2. Исследовано изменение энергии возбуждений спин-синглетных D- комплексов в зависимости от электронной концентрации, ширины квантовой ямы и магнитного поля.