Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 87 (2008) | ISSUE 3 | PAGE 176
Блокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзисторе
PACS: 72.20.Pa, 73.23.Hk, 73.63.Kv
Abstract
В одноэлектроном транзисторе с квантовой точкой, сформированной на узкой GaAs/AlGaAs квантовой проволоке, подвешенной над подложкой, исследовано туннелирование электронов, ограниченное эффектом кулоновской блокады. С помощью прямого сравнительного эксперимента выявлены особенности туннелирования, связанные с отрывом квантовой точки от подложки. Помимо увеличения зарядовой энергии (кулоновской щели), которая достигла 170 К в температурных единицах, обнаружена также ее зависимость от числа электронов на квантовой точке, которое изменялось от 0 до 4, что можно объяснить изменением эффективного размера точки под влиянием обедняющего затворного напряжения. Кроме того, обнаружена дополнительная, не связанная с кулоновской, блокада туннелирования, специфичная для подвешенных структур. Показано, что эта блокада не связана с динамическим эффектом возбуждения локальных фононных мод и может быть объяснена с учетом изменения статических упругих деформаций квантовой проволоки, сопровождающих туннелирование электрона в/из квантовой точки.