Home
| VOLUME 87 (2008) | ISSUE 3 | PAGE 192 |
|---|
|
Магнитные свойства квантовых ям GaAs/δ<Mn>/GaAs/InxGa1-xAs/GaAs
Б. А. Аронзон+*, А. С. Лагутин+, В. В. Рыльков+*, В. В. Тугушев+, В. Н. Меньшов+, А. В. Лейскул∇, Р. Лайхо∇ 2), О. В. Вихрова
 , Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков+Российский научный центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия *Институт прикладной и теоретической электродинамики РАН, 127412 Москва, Россия ∇Wihuri Physical laboratory, Department of Physics, University of Turku, FIN-20014, Turku, Finland Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Лобачевского603950 Нижний Новгород, Россия PACS: 71.55.Eq, 72.20.My, 72.25.Dc, 75.50.Pp
Abstract
В диапазоне температур от 3 до 300 К в магнитных полях до 6 Тл исследованы полевая и температурная зависимости намагниченности GaAs/δ <Mn>/GaAs/InxGa1-xAs/GaAs квантовых ям, в которых δ <Mn> слой отделялся от квантовой ямы GaAs спейсером толщиной 3 нм. Обнаружено, что при температурах менее 40 К происходит индуцированный внешним магнитным полем фазовый переход в ферромагнитное состояние со сдвигом петли гистерезиса намагниченности относительно нулевого магнитного поля. Предложена теоретическая модель, предполагающая сосуществование ферро- и антиферромагнитно упорядоченных областей внутри слоев GaAs. |