Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 87 (2008) | ISSUE 3 | PAGE 192
Магнитные свойства квантовых ям GaAs/δ<Mn>/GaAs/InxGa1-xAs/GaAs
Abstract
В диапазоне температур от 3 до 300 К в магнитных полях до 6 Тл исследованы полевая и температурная зависимости намагниченности GaAs/δ <Mn>/GaAs/InxGa1-xAs/GaAs квантовых ям, в которых δ <Mn> слой отделялся от квантовой ямы GaAs спейсером толщиной 3 нм. Обнаружено, что при температурах менее 40 К происходит индуцированный внешним магнитным полем фазовый переход в ферромагнитное состояние со сдвигом петли гистерезиса намагниченности относительно нулевого магнитного поля. Предложена теоретическая модель, предполагающая сосуществование ферро- и антиферромагнитно упорядоченных областей внутри слоев GaAs.