Изменение знака магнеторезистивного эффекта в бислойных структурах сверхпроводник/ферромагнетик при смене типа доменной структуры в ферромагнетике
А. Ю. Русанов, Т. Е. Голикова, С. В. Егоров
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
PACS: 74.78.Fk, 75.47.Pq, 75.70.Cn
Abstract
Исследованы магнеторезистивные эффекты в двухслойных и трехслойных
гибридных планарных S/F структурах на основе Py (пермаллой) и Nb вблизи
температуры сверхпроводящего перехода TC. Экспериментально показано,
что изменение знака наблюдаемых пиков магнетосопротивления в двухслойных
S/F-системах с отрицательного на положительный происходит при толщине
пермаллоевого слоя, соответствующей смене типа доменных границ от неелевского
к блоховскому. В случае неелевских границ при коэрцитивных полях
ферромагнетика в S/F-бислоях наблюдается эффект отрицательного
магнетосопротивления, связанный с уменьшением распаривающего действия
обменного поля Eex. Для блоховских доменных границ магнетосопротивление
двухслойных S/F-структур определяется диссипативным движением абрикосовских
вихрей в сверхпроводящем слое. В трехслойных F/S/F-структурах
магнетосопротивление, в основном, связано с подавлением сверхпроводящего
параметра порядка в сверхпроводящем слое под действием аккумуляции
спин-поляризованных носителей вблизи S/F-границ.