Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 87 (2008) | ISSUE 5 | PAGE 291
Временная зависимость сигнала антипересечения уровней в экситонном излучении кристалла GaSe в условиях резонансного возбуждения
PACS: 71.35.Ji, 78.20.Ls, 78.47.Cd, 78.55.Hx
Abstract
На примере триплетных связанных экситонов в селениде галлия исследована временная зависимость сигнала антипересечения зеемановских подуровней экситонов в условиях резонансного возбуждения. Обнаружено, что форма сигнала антипересечения меняется в течение времени жизни возбужденного состояния, при этом временная зависимость сигнала антипересечения при резонанасном возбуждении экситонных состояний существенно отличается от соответствующей зависимости, наблюдаемой в условиях межзонного возбуждения люминесценции. Предложено теоретическое описание наблюдаемых эффектов.