Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 87 (2008) | ISSUE 8 | PAGE 502
Индуцирование энергетической щели волны зарядовой плотности в NbSe3 сильным магнитным полем выше температуры пайерлсовского перехода
PACS: 71.45.Lr, 71.70.Ej, 74.50.+r
Abstract
Методом межслоевой туннельной спектроскопии исследовано влияние магнитного поля на величину энергетической щели волны зарядовой плотности (ВЗП) в NbSe3 вблизи температуры нижнего пайерлсовского перехода Tp2. Показано, что магнитное поле увеличивает энергетическую щель и даже может ее индуцировать при температурах, на 15-20 К превышающих Tp2. При этом амплитуда пика щелевой особенности туннельного спектра сначала увеличивается с ростом поля, достигает максимума при 20-30 Тл, а затем уменьшается при дальнейшем росте поля. Эффект увеличения амплитуды щелевого пика связывается с улучшением условия нестинга ВЗП под действием поля, тогда как ее подавление в сильных полях - с разрушением основного состояния в результате его зеемановского расщепления.