JETP Letters: issues online

Исследовано влияние микроволнового излучения миллиметрового диапазона на электронный транспорт в двойной GaAs квантовой яме при температуре 4.2 К в магнитных полях до 2 Тл. Показано, что в изучаемой двумерной электронной системе в области больших факторов заполнения возникают осцилляции сопротивления (проводимости), положение максимумов которых в магнитном поле определяется условием $\Delta_\mathrm{SAS}/\hbar=l\omega_\mathrm{c}$ , где $\Delta_\mathrm{SAS}=(E_2-E_1)$ - расщепление подуровней размерного квантования в двойной квантовой яме, $\omega_\mathrm{c}$ - циклотронная частота, а l - целое положительное число. Обнаружено, что в двойной квантовой яме микроволновое поле существенно модифицирует эти осцилляции, приводя к знакопеременной, изменяющейся с двумя периодами зависимости фотосопротивления от обратного магнитного поля.