Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 87 | ISSUE 9 | PAGE 563
Микроволновое фотосопротивление в двойной квантовой яме при больших факторах заполнения
PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk
Abstract
Исследовано влияние микроволнового излучения миллиметрового диапазона на электронный транспорт в двойной GaAs квантовой яме при температуре 4.2 К в магнитных полях до 2 Тл. Показано, что в изучаемой двумерной электронной системе в области больших факторов заполнения возникают осцилляции сопротивления (проводимости), положение максимумов которых в магнитном поле определяется условием \Delta_\mathrm{SAS}/\hbar=l\omega_\mathrm{c}, где \Delta_\mathrm{SAS}=(E_2-E_1) - расщепление подуровней размерного квантования в двойной квантовой яме, \omega_\mathrm{c} - циклотронная частота, а l - целое положительное число. Обнаружено, что в двойной квантовой яме микроволновое поле существенно модифицирует эти осцилляции, приводя к знакопеременной, изменяющейся с двумя периодами зависимости фотосопротивления от обратного магнитного поля.