Спин-зависимая туннельная проводимость в пленках TbCoFe/Pr6O11/TbCoFe
Н. Н. Крупа
Институт магнетизма Национальной АН Украины, 03142 Киев, Украина
PACS: 73.40.-c, 75.70.Cn
Abstract
Приведены результаты экспериментальных исследований туннельного
магнитосопротивления (TMR) в пленках TbCoFe/Pr6O11/TbCoFe при
температуре 80 и 300 K. При переходе от состояния с намагниченностью слоев
TbCoFe в одном направлении к состоянию с намагниченностью в противоположных
направлениях величина сопротивления такой структуры увеличивается более чем в
полтора раза при комнатной температуре и более чем в три раза при температуре
80 K. Величина TMR увеличивается при облучении области туннельного перехода
излучением азотного лазера и при увеличении толщины барьерного слоя от 10 до
40 нм. Предполагается, что большое значение ТМР достигается за счет
использования парамагнитного барьерного слоя Pr6O11.