Индуцированное микроволновым излучением магнетополевое состояние с нулевой проводимостью в GaAs/AlAs дисках Корбино и мостиках Холла
А. А. Быков
Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk
Abstract
Исследована микроволновая фотопроводимость двумерного электронного
газа в GaAs/AlAs гетероструктурах при температуре 4.2 К в магнитных полях до
1.5 Тл. Обнаружено, что в GaAs/AlAs дисках Корбино под действием
микроволнового излучения на частоте 130.70 ГГц возникает магнетополевое
состояние с нулевой проводимостью, ранее наблюдавшееся только в GaAs/AlGaAs
дисках Корбино с существенно большей электронной подвижностью и меньшей
концентрацией. Показано, что микроволновая фотопроводимость в области сильных
магнитных полей, измеренная на дисках Корбино и вычисленная из результатов
измерения на мостиках Холла, может существенно отличатся. Обнаруженное
различие объясняется тем, что условия возникновения магнетоплазмонов,
влияющих на величину и характер микроволновой фотопроводимости
(фотосопротивления), в дисках Корбино и мостиках Холла неэквивалентны.