О динамической стохастизации электронов в полупроводниках со сверхрешетками
Басс Ф.Г., Конотоп В.В., Панчеха А.П.
Обнаружен эффект стохастизации носителей заряда в полупроводниковых сверхрешетках во внешнем электромагнитном поле. Оценены необходимые для этого характеристики внешних полей и параметры полупроводника. Обсуждаются макроскопические проявления эффекта.