Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 88 (2008) | ISSUE 3 | PAGE 229
Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах p-InGaAs/GaAsP
PACS: 71.23.An, 71.55.-i, 71.70.Fk
Abstract
Наблюдался спектр примесной фотопроводимости в напряженных квантовых ямах твердого раствора p-InGaAs/GaAs при T= 4.2 К. Помимо широкой полосы фотопроводимости, связанной с переходами с основного состояния акцептора в континуум 1-й подзоны размерного квантования, в спектре обнаружены пик, обусловленный переходами из основного в возбужденное локализованное состояние акцептора, полоса, соответствующая переходам в резонансные состояния, связанные со второй подзоной размерного квантования тяжелых дырок, и узкий пик фотопроводимости в спектральной области, соответствующей энергии оптического фонона (резонанс Фано).