Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 88 (2008) | ISSUE 6 | PAGE 421
Воздействие электронного пучка на эпитаксиальные слои CaF2 и BaF2 на Si
PACS: 79.20.Kz
Abstract
На подложках Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии последовательно выращены атомарно гладкие слои CaF2 и BaF2. В местах воздействия электронного пучка дифрактометра при анализе кристаллической структуры поверхности во время роста при последующем наблюдении методом атомно-силовой микроскопии выявлены макродефекты типа пор. Их образование связано с разложением фторидов под действием высокоэнергетичных электронов, сопровождающимся десорбцией фтора и дрейфовым током положительных ионов из мест стока электронного заряда.