Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 88 (2008) | ISSUE 6 | PAGE 450
Туннелирование Зинера между уровнями Ландау в двойной квантовой яме при больших факторах заполнения
PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk
Abstract
Исследовано дифференциальное сопротивление r_\mathrm{xx} в двойной GaAs квантовой яме с двумя заполненными подзонами размерного квантования при температуре 4.2 К в магнитных полях B<2 Тл. Обнаружено, что в исследуемой электронной системе при больших факторах заполнения под действием постоянного тока I_\mathrm{dc} возникают осцилляции rxx, период которых в обратном магнитном поле определяется величиной I_\mathrm{dc}. Установлено, что в максимумах этих осцилляций амплитуда магнето-межподзонных осцилляций возрастает, а в минимумах происходит их инверсия. Показано, что обнаруженные осцилляции обусловлены зинеровским туннелированием электронов, возникающим между уровнями Ландау под действием холловского электрического поля. Полученные экспериментальные данные качественно объясняются влиянием межподзонных переходов на компоненту электронной функции распределения, зависящую от I_\mathrm{dc}.