Home
| VOLUME 88 (2008) | ISSUE 8 | PAGE 587 |
|---|
|
Формирование метастабильных надбарьерных дырочных состояний в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe при высокой плотности оптического возбуждения
А. А. Максимов, С. В. Зайцев, Е. В. Филатов, А. В. Ларионов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев+, А. Вааг*
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия +Experimentelle Physik II, University of Dortmund, D-44227 Dortmund, Germany *Institute of Semiconductor Technology, Braunschweig Technical University, D-38106 Braunschweig, Germany PACS: 73.21.-b, 73.61.Ga, 78.67.-n
Abstract
Обнаружено существенное замедление кинетики люминесценции пространственно прямых оптических переходов в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe при высоких уровнях накачки фемтосекундными лазерными импульсами. Эффект объясняется тем, что в условиях сильного изгиба зон при высоких плотностях пространственно разделенных фотовозбужденных носителей возникает потенциальный барьер, который формирует метастабильное надбарьерное состояние для дырок в слое ZnSe. Это приводит к увеличению времени релаксации дырок по энергии при их переходе в соседний слой BeTe. Экспериментальные результаты хорошо согласуются с проведенными численными расчетами. |