Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 88 (2008) | ISSUE 8 | PAGE 597
Энергетический порог Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности GaAs(Cs, O)
PACS: 29.30.Dn, 33.15.Fm, 65.40.Gh, 68.43.Mn, 68.47.Fg, 81.05.Ea
Abstract
Экспериментально установлено, что вероятность Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности p-GaAs(Cs,О) близка к единице только тогда, когда работа выхода полупроводника не превышает {\sim} 3.1\pm0.1 эВ. Измеренное положение энергетического порога адсорбции соответствует, по-видимому, энергии незаполненного уровня антисвязывающей 2π*-орбитали молекулы О2, находящейся в предадсорбционном состоянии на поверхности полупроводника.