Обменное смещение в структурах IrMn/Co с альтернативным чередованием антиферромагнитного и ферромагнитного слоев
Е. В. Хоменко, Н. Г. Чеченин, А. Ю. Гойхман+, А. В. Зенкевич+
НИИ ядерной физики им. Д.В. Скобельцына, МГУ им. М.В. Ломоносова, 119992 Москва, Россия
+Московский инженерно-физический институт , 115409 Москва, Россия
PACS: 75.37.Nq, 75.75.+a
Abstract
Путем измерения угловой зависимости поглощения высокочастотного
излучения в области ферромагнитного резонанса исследованы магнитные свойства
структур Mo/IrMn/Co/Mo/SiO2/Si с альтернативным чередованием
антиферромагнитного (АФ) и ферромагнитного (Ф) слоев. Осаждение слоев
производилось с помощью импульсного лазерного осаждения в отсутствие магнитного
поля. Установлено, что термический отжиг и охлаждение позволяют создавать
обменное смещение в структуре с верхним АФ-слоем при температуре, существенно
ниже температуры Нееля. В то же время при идентичной термической обработке в
структуре с верхним Ф-слоем обменное смещение не возникает. Обсуждаются
возможные механизмы наблюдаемых явлений.