Сопротивление двумерных систем в магнитном поле при факторе заполнения ν =1/2
С. С. Мурзин
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
PACS: 71.30.1+h, 73.43.-f
Abstract
Произведено сравнение с предсказанием
теорий [Hal,Mir] имеющихся в литературе экспериментальных
данных для диагонального удельного сопротивления (ρ xx)
гетероструктур GaAs/AlGaAs в магнитном поле при факторе заполнения
ν =1/2. Обнаружено, что экспериментальные результаты не
согласуются с этим предсказанием. Найдено, что .