Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 88 (2008) | ISSUE 11 | PAGE 877
Электронные переходы в монокристалле VBO3 при высоких давлениях
PACS: 74.62.Fj, 75.50.-y, 78.70.En, 81.40.Rs
Abstract
Изучены спектры оптического поглощения в монокристаллах ферромагнитного полупроводника VBO3 при воздействии высоких давлений до 70 ГПа, создаваемых в камере с алмазными наковальнями. При давлении P_C\approx30 ГПа обнаружен электронный переход, сопровождающийся резким изменением оптических свойств и падением оптической щели от E0=3.02 до 2.25 эВ. В фазе высокого давления щель не обращается в нуль, а принимает значение, типичное для полупроводников, что свидетельствует о переходе типа полупроводник-полупроводник. Величина критического давления, при котором возможен переход в металлическое состояние, оценена равной P_{\rm met}\sim290 ГПа.