Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 88 (2008) | ISSUE 12 | PAGE 939
Тип второй подзоны размерного квантования дырок у поверхности Si(110): анизотропия спинового расщепления
PACS: 73.40.-c, 73.43.-f
Abstract
Выполнены измерения магнетосопротивления для случаев заполнения одной и двух размерно-квантованных подзон дырок в кремниевых полевых транзисторах, созданных на поверхности Si (110). В обоих случаях обнаружена очень слабая чувствительность осцилляций Шубникова - де Гааза к компоненте магнитного поля, параллельной квазидвумерной системе. Этот результат указывает на то, что обе нижние подзоны размерного квантования образованы тяжелыми дырками. Для второй подзоны этот вывод расходится с широко принятой точкой зрения о том, что эта подзона в исследованной системе является основной подзоной легких дырок.