Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 89 (2009) | ISSUE 1 | PAGE 38
Влияние некогерентного рассеяния поляритонов на динамику стимулированного поляритон-поляритонного рассеяния в GaAs микрорезонаторах
PACS: 73.21.La, 75.50.Pp, 78.47.+p
Abstract
Обнаружено сильное влияние межзонной подсветки на динамику поляритон-поляритонного параметрического рассеяния в плоских GaAs микрорезонаторах при резонансном фотовозбуждении выше точки перегиба поляритонной дисперсионной кривой: подсветка с плотностью мощности \sim 0,1% от резонансной приводит к понижению пороговой плотности для возникновения стимулированного рассеяния, превышающему 15%. Показано, что эффект связан с изменением резонансной энергии накачиваемой моды в результате увеличения концентрации долгоживущих экситоноподобных поляритонов, образующихся в результате рассеяния резонансно возбуждаемых поляритонов на фотовозбужденных свободных носителях.