Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 89 (2009) | ISSUE 2 | PAGE 94
Формирование гетерограницы GaAs-Ge в присутствии окисла
PACS: 73.20.-r, 73.40.Lq, 81.15.Hi
Abstract
Приведены результаты исследования методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение процесса формирования гетерограницы GaAsч Ge при условии неполного удаления всех окисных фаз с поверхности подложки GaAs. Показано, что совмещение процессов окончательной десорбции окисла Ga2O и осаждения Ge позволяет предотвратить испарение мышьяка и нарушение стехиометрии в области границы раздела.