Взаимодействие отрицательных ионов с поверхностью инертных жидкостей
А. М. Дюгаев+*, П. Д. Григорьев+*, Е. В. Лебедева∇
+Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
*Max-Plank-Institut for the Physics of Complex Systems, D-01187 Dresden, Germany
∇Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
PACS: 67.55.Ig
Abstract
Определен потенциал взаимодействия отрицательных ионов (электронных
пузырьков) с поверхностью жидких He4, He3 и Ne. Кроме
электростатического отталкивания, учтен также вклад дальнодействующего
ван-дер-ваальсовского притяжения электронного пузырька к поверхности
жидкости. Потенциальный барьер, препятствующий уходу отрицательного иона из
жидкости в вакуум, формируется в результате конкуренции этих сил отталкивания
и притяжения. Определена зависимость времени жизни пузырька от температуры и
электрического поля. Проведено сравнение теории и опыта для отрицательных
ионов в жидком He4. В отличие от общепринятых представлений, основанных на
гипотезе квантового туннелирования электрона из пузырька в вакуум,
обоснованная нами теория базируется на классической диффузионной модели
перехода пузырька через потенциальный барьер, предложенной Крамерсом. Для
жидкого He4 в рамках этой модели применимо приближение малого
динамического трения, что связано с большой подвижностью отрицательных ионов
в сверхтекучей жидкости.