Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 89 (2009) | ISSUE 4 | PAGE 209
Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(001)
PACS: 61.05.Jh, 67.63.Gh, 68.47.Fg, 81.05.Ea
Abstract
Поверхности GaAs(001), покрытые собственными оксидами, экспонировались в потоке атомарного водорода в температурном интервале 280-450 °C с целью низкотемпературного приготовления структурно упорядоченных поверхностей GaAs(001). Приготовлены новые Ga-обогащенные поверхности GaAs(001) с реконструкциями (4×4) и (2×4)/c(2×8), которые были изучены методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, дифракции медленных электронов и спектроскопии характеристических потерь энергий электронов высокого разрешения. Для поверхности GaAs(001)-(2×4) предложена и рассчитана из первых принципов структура Ga-стабилизированной поверхности в модели элементарной ячейки (2×4) Ga-тример.