Особенности диэлектрической функции InN в области прямого оптического перехода
Л. А. Фальковский
Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, 119334 Москва, Россия
Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, 142190 Троицк, Россия
PACS: 71.15.Mb, 71.20.Nr, 78.20.Ci
Abstract
Рассмотрена дисперсия диэлектрической проницаемости InN со
структурой вюрцита в области частот вблизи фундаментальной
энергетической щели с учетом влияния температуры и концентрации
носителей. Линейность электронного спектра в широкой
энергетической области приводит к логарифмической сингулярности у
вещественной части диэлектрической функции, связанной с прямыми
электронными переходами, и соответственно, к аномально большой
величине диэлектрической постоянной. Мнимая часть выходит на
плато выше порога поглощения. Рассчитанные без всяких подгоночных
параметров значения хорошо согласуются с экспериментом и
вычислениями из первых принципов.