Процессы рассеяния в двумерном полуметалле
Е. Б. Ольшанецкий+, З. Д. Квон+*, М. В. Энтин+, Л. И. Магарилл+*, Н. Н. Михайлов+, И. О. Парм+, С. А. Дворецкий+
+Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 73.43.Qt, 73.63.Hs
Abstract
Исследованы механизмы рассеяния в двумерном полуметалле
на основе HgTe квантовой ямы, в котором концентрация электронов и
дырок управляется в широких пределах приложением затворного
напряжения. Показано, что при низких температурах в указанной
системе доминирует рассеяние на примесях. Наблюдалось
прямое влияние взаимного межчастичного рассеяния (в данном случае
электронов и дырок) на сопротивление металла.