Метамагнетизм вблизи TC в Mn-замещенном халькопирите Cd0.90Mn0.10GeAs2
Л. C. Лобановский В. М. Новоторцев+, С. Ф. Маренкин+, В. М. Трухан, Т. В. Шёлковая
ГО НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, 220072 Минск, Беларусь
+Институт общей и неорганической химии РАН им. Н.С. Курнакова, 119991 ГСП-1, Москва, Россия
PACS: 75.10.Lp, 75.30.Kz
Abstract
Проведено исследование магнитных и электрических свойств твердого
раствора Cd0.90Mn0.10GeAs2 со структурой халькопирита в широком
температурном и полевом интервале. Обнаружено, что в
Cd0.90Mn0.10GeAs2 вблизи температуры магнитного упорядочения
индуцируется метамагнитный переход из состояния с низкой намагниченностью в
состояние с высокой намагниченностью, сопровождающийся гистерезисом магнитных
свойств. Внешнее магнитное поле при температурах выше TC также индуцирует
метамагнитный переход. С ростом температуры выше TC скачок намагниченности
уменьшается, в то время как поля, индуцирующие метамагнитный переход,
возрастают. Исходя из поведения намагниченности при метамагнитном переходе,
а также анализа зонной структуры твердого раствора диарсенида кадмия-германия
с марганцем высказано предположение о зонном характере магнетизма и
метамагнетизма в эффективном магнитном поле.